半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
好项目情况
某该项目处在长三边形地区划分某政府级光电器件产业的发展苑区,中小企业基本生孩子8英尺和12英尺晶圆,每日量可达2万片。随之生产量提高了,增加了的废水外理方法外理控制系统已尚未满意健康请求,人们非常升級提升。该项目总投资费用约1五百万元,开发外理能力素质为300吨/日,于202半年成立 投入运营。
废渣成份及从何而来
该企业公司晶圆片区多种工序生产的工业废水主要的收录以內因素:
切过程中中在使用的打磨液农药残留物,具体组成为二防氧化硅颗粒状、表皮化学活化剂和有机肥料加剂
晶圆外表清洁产生的含氟污废水 ,氟正离子有机废气浓度在80-120mg/L
极富巨资属铁离子如铜、镍等,主要来出自于切割器平台摩擦
有机物相转移催化剂残余的,是指异丙醇、二甲苯等
pH值起伏过大过大,大部分在4-10两者
外理加工方法
对废水除理性,设计应用"化学预除理+血生化除理+深层除理"的组合名字技艺:
调接池
:义均污水水质发电量,设立pH同屏在线数据监测和主动投加药剂软件系统
沥青混凝土放置
:加药PAC和PAM,快速清理浮悬物和悬浊液的物质
气浮单元测试
:利用溶气气浮新工艺进十步快速清理猫瘟粒状和一部分可挥发物
什么是生化进行处理
:用到MBR膜生物学化学物反应器,淤泥渗透压持续在8000-10000mg/L
纵深进行处理
:活性氧炭树脂吸附+反构建工艺设计,确保出水量及格
活性污泥治理
:板框废水压滤机过滤,废水水分含量率降到60%下例
补救治疗效果
程序可靠运作后,冒水水源完全性达成《光学企业水破坏物摆放标准化》(GB39731-2020)格外摆放卫生防护距离规范要求:
COD<30mg/L
氟阴离子<5mg/L
自动隐藏物<10mg/L
血本属贴心的售后服务评价指标均不高于规定值
工程每人每年可减低环境废水直接用水量上涨约COD 32吨、氟化物8.5吨,循环水率以达到75%左右,为客户合理安排电费其他支出约1二十万元/年。